计算题

把一个PN结硅二极管作变容二极管用，结两侧掺杂浓度分别为N_A=10¹⁹cm^-3、N_D=10¹⁵cm^-3、二极管面积0.01cm²。
（1）求在V_R=IV及5V时二极管的电容；
（2）计算用此变容二极管及L=2mH的储能电流的共振频率。

问答题硅扩散PN结，结面积为10-5cm2，结深为3μm，衬底浓度为N0=1015cm-3，外加电压V=-10V，通过计算比较，势垒电容取哪种更为合理？若结深为，其余参数不变，做那种近似合理？

问答题理想硅PN结，ND=1016cm-3，在IV正偏压下，求N型中性区内存储的少数载流子总量。

问答题试计算温度从300K增加至400K时，硅PN结反向电流增大多少倍？如果25℃时某锗PN结反向电流为10μA，当温度上升到45℃时反向电流有多大？

问答题硅、锗PN结各一，其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3，N区的寿命tp=10-5s，且Wn＞LP，300K下N型锗中Dp=45cm2 s，N型硅中Dp=13cm2 s，求外加偏压为-5V时，反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少？从中可以得到什么结论？

问答题Si的PN结中ND=1016cm-3、DP=13cm2 s、LP=2×10-3cm、A=105cm2，若规定二极管正向电流达到0.1mA时的电压为阀值电压，问该PN结阀值电压Vi是多少？参数相同的锗PN结Vi是多少？