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判断题在Virtuoso layout的快捷键命令中，f是fit整个layout画面的意思，那么r是代表清除尺子的意思。

判断题做LVS检查需要GDSII文件，网表文件（netlist），和LVS命令文件这三个基本文件。

判断题做DRC检查需要GDSII文件和DRC命令文件两个基本文件。

判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。

判断题MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。

判断题正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。

判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。

判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。

判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。

判断题结型晶体管是电流放大型器件。

判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。

判断题半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。

判断题用保护环（Guarding Ring）可以在一定程度上防止Latch up效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。

判断题通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。

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