判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。
判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。
判断题半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。
判断题用保护环（Guarding Ring）可以在一定程度上防止Latch up效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。
判断题通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。
