结型晶体管是电流放大型器件。-找考题网

判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。

判断题半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。

判断题用保护环（Guarding Ring）可以在一定程度上防止Latch up效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。

判断题通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。

判断题并不是所有LVS的错误都会造成版图功能上的错误。

判断题设计规则的出现实际上是为了寻求一种芯片良率和芯片面积的权衡。

判断题因为有逻辑综合的存在，所以数字设计才能够脱离底层的物理器件，用HDL来设计。

判断题在采用标准单元镜像的布图中，绕线是通过绕线通道（Routing Channel）进行的。

判断题尽管版图中各个层次大致对应于相应的工艺步骤，但划版图时，各个层次划的先后顺序是无关紧要的，它不会影响芯片最后的制造。

判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。

判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。

判断题过孔上往往有较大的寄生电阻，因此为了减少因此产生的IR Drop，单个过孔的面积应该尽可能的大。

判断题vi命令方式下，字母I是打开新行命令。

判断题vi是文本编辑器。