器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。-找考题网

判断题MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。

判断题正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。

判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。

判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。

判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。

判断题结型晶体管是电流放大型器件。

判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。

判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。

判断题半导体内总的正电荷和总的负电荷必须相等，整个半导体是电中性的。

判断题用保护环（Guarding Ring）可以在一定程度上防止Latch up效应的出现，比如说，在P沟道的MOS管上用P+的环。

判断题通过各种匹配措施，在版图上能够精确的划出一个125欧的扩散电阻。

判断题并不是所有LVS的错误都会造成版图功能上的错误。

判断题设计规则的出现实际上是为了寻求一种芯片良率和芯片面积的权衡。

判断题因为有逻辑综合的存在，所以数字设计才能够脱离底层的物理器件，用HDL来设计。

判断题在采用标准单元镜像的布图中，绕线是通过绕线通道（Routing Channel）进行的。