判断题正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。
判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。
判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。
判断题齐纳二极管是利用二极管的雪崩击穿机理。
判断题结型晶体管是电流放大型器件。
