判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。
判断题MOS器件工作在亚阈值区，对于漏电流起决定作用的是扩散而不是漂移。
判断题正向电压加到理想MOS二极管上时，能带向上弯曲，多数载流子积累。
判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。
判断题双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。
