A.有源区B.场区C.衬底区D.阱区
单项选择题氧化层中掺杂了硼杂质，一般称为（）。
A.PSGB.BPSGC.BSGD.FSG
单项选择题如果制作栅氧结构，一般采用的方法是（）。
A.湿氧氧化B.氢氧合成C.CVDD.干氧氧化
判断题CMOS电路是通过有源区进行隔离的，属于绝缘介质隔离。
判断题STI技术相比LOCOS工艺，占地面积更小，而且不会产生鸟嘴效应。
判断题光刻时，必须将硅片与掩模版进行对准，不同的掩模版之间也要对准，可以采用仔细观察的方法。
