判断题形成接触孔之前，需要先淀积一层PSG或BPSG材料，然后再该层材料上刻蚀出窗口作为接触孔。
判断题CMOS是由PMOS和NMOS构成，制作时可以是P阱结构，还可以是N阱结构，更可以是双阱结构。
判断题MOS管的制作一般经过阱区制作、有源区光刻、栅氧淀积、栅的淀积和光刻、源漏注入、接触孔光刻、金属淀积及反刻、钝化等工艺。
判断题当掩模版上的图形转移到下方薄膜材料上时，必须要考虑到光刻胶的性质（正胶还是负胶）。
判断题如果掩模版上绝大多数部分是不透光的区域，只有很少一部分透光，这种掩模版称为亮场掩模版。
