计算题 光照射在一块掺杂浓度为10¹⁷cm^-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为10¹³cm^-3，求少数载流子浓度和电阻率。

问答题有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品，如果在1μm的范围内，空穴浓度从1016cm-3线性降低到1013cm-3，求空穴的扩散电流密度。

问答题假设有一块掺有1018cm-3施主杂质的硅样品，其截面积为0.2μm×0.5μm，长度为2μm。如果在样品两端加上5V电压，通过样品的电流有多大？电子电流与空穴电流的比值是多少？

问答题实验测出某均匀掺杂N型硅的电阻率为2Ω·cm，试估算施主杂质浓度。

问答题有两块单晶硅样品，它们分别掺有1015cm-3的硼和磷，试计算300K时这两块样品的电阻率，并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。

问答题某硅单晶样品中掺有1016cm-3的硼、1016cm-3的磷和1015cm-3镓，试分析该材料是N型半导体还是P型半导体？准自由电子和空穴浓度各为多少？