写出下列状态下连续性方程的简化形式: (1)无浓度梯度、无外加电场、有光照、稳态; (2)无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生,稳态。
(1)因为无浓度梯度,所以含有浓度梯度的项均等于零,即: 因为无外加电场,所以,含有电场的项也为零,即: 又因为有光照,所以产生率G不等于零;因为讨论的是稳态情况,所以: (2)同理,无外加电场、无光照等外因引起载流子的产生,稳态情况下连续性方程可以简化为:
问答题光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。
问答题有一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品,如果在1μm的范围内,空穴浓度从1016cm-3线性降低到1013cm-3,求空穴的扩散电流密度。
问答题假设有一块掺有1018cm-3施主杂质的硅样品,其截面积为0.2μm×0.5μm,长度为2μm。如果在样品两端加上5V电压,通过样品的电流有多大?电子电流与空穴电流的比值是多少?
问答题实验测出某均匀掺杂N型硅的电阻率为2Ω·cm,试估算施主杂质浓度。
问答题有两块单晶硅样品,它们分别掺有1015cm-3的硼和磷,试计算300K时这两块样品的电阻率,并说明为什么N型硅的导电性比同等掺杂的P型硅好。