判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺,NMOS的衬底应该接到高电位上。
判断题Bi-CMOS工艺就是用标准的Bipolar工艺来制造MOS器件。
判断题过孔上往往有较大的寄生电阻,因此为了减少因此产生的IR Drop,单个过孔的面积应该尽可能的大。
判断题vi命令方式下,字母I是打开新行命令。
判断题vi是文本编辑器。