是刻蚀掉部分衬底形成沟槽（槽刻蚀），再在其中回填上介电质（回填）作为相邻器件之间的绝缘体的一种器件隔离方法。 又分为：浅槽隔离和深槽隔离。 作用：实现器件之间的电学隔离。 优点：可以在全平坦化的条件下是鸟嘴区的宽度接近零。 应用：0.25um以下工艺的标准器件隔离技术。
问答题工艺最后生长在顶层的介质层称为什么？有什么材料构成？其主要作用是什么？
问答题金属层间介质的作用是什么？通常用什么材料作层间介质层？
问答题接触孔和通孔的作用是什么？它们是如何形成的？什么是钨塞。试说明其主要作用。
问答题请说明在形成晶体管的有源区掺杂过程中需要进行哪些保护？分别用什么材料作为保护层？
问答题列出简化的双阱CMOS工艺流程中的主要步骤，并说明该流程的两个主要特点。
