静态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是（）。

单项选择题非晶硒探测器在环境温度变化剧烈出现脱膜现象是每小时大于（）。

A.5℃
B.10℃
C.20℃
D.35℃
E.45℃

单项选择题多块CCD 型探测器是指（）。

A.2块芯片
B.4块芯片
C.6块芯片
D.8块芯片
E.12块芯片

单项选择题采用光学缩微技术的探测器是（）。

A.非晶硒平板探测器
B.非晶硅平板探测器
C.CCD 探测器
D.多丝正比电离室探测器
E.闪烁晶体光电二极管线阵探测器

单项选择题会对非晶硒探测器造成结晶伤害的温度是高于（）。

A.20℃
B.25℃
C.30℃
D.35℃
E.40℃

单项选择题会对非晶硒探测器造成脱膜伤害的温度是低于（）。

A.0℃
B.5℃
C.10℃
D.20℃
E.35℃

单项选择题目前动态平板探测器已实现的动态采集是（）。

A.12f/s
B.24f/s
C.30f/s
D.120f/s
E.300f/s

单项选择题静态非晶硒探测器外加电压强度是（）。

A.0〜500V
B.0〜1000V
C.0〜2000V
D.0〜5000V
E.0〜10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器外加电压强度提高到（）。

A.100V
B.500V
C.1000V
D.5000V
E.10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是（）。

A.20μm
B.100μm
C.500μm
D.1000μm
E.5000μm

单项选择题动态平板探测器设备已用于（）。

A.乳腺数字摄影
B.普通数字摄影
C.数字胃肠检查
D.CT
E.ECT