非晶硒探测器在环境温度变化剧烈出现脱膜现象是每小时大于（）。

单项选择题多块CCD 型探测器是指（）。

A.2块芯片
B.4块芯片
C.6块芯片
D.8块芯片
E.12块芯片

单项选择题采用光学缩微技术的探测器是（）。

A.非晶硒平板探测器
B.非晶硅平板探测器
C.CCD 探测器
D.多丝正比电离室探测器
E.闪烁晶体光电二极管线阵探测器

单项选择题会对非晶硒探测器造成结晶伤害的温度是高于（）。

A.20℃
B.25℃
C.30℃
D.35℃
E.40℃

单项选择题会对非晶硒探测器造成脱膜伤害的温度是低于（）。

A.0℃
B.5℃
C.10℃
D.20℃
E.35℃

单项选择题目前动态平板探测器已实现的动态采集是（）。

A.12f/s
B.24f/s
C.30f/s
D.120f/s
E.300f/s

单项选择题静态非晶硒探测器外加电压强度是（）。

A.0〜500V
B.0〜1000V
C.0〜2000V
D.0〜5000V
E.0〜10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器外加电压强度提高到（）。

A.100V
B.500V
C.1000V
D.5000V
E.10000V

单项选择题动态非晶体硒探测器采用了的非晶硒涂层厚度是（）。

A.20μm
B.100μm
C.500μm
D.1000μm
E.5000μm

单项选择题动态平板探测器设备已用于（）。

A.乳腺数字摄影
B.普通数字摄影
C.数字胃肠检查
D.CT
E.ECT

单项选择题使用环境湿度过高时会对非晶硒探测器造成的伤害是（）。

A.脱膜
B.探测器内部结露
C.信号的扩散
D.结晶
E.噪声增加