A.该放大器为互导放大器B.该放大器为互阻放大器C.理想情况下该放大器输入电阻极高D.理想情况下该放大器输入电阻极低E.理想情况下该放大器输出电阻极高F.理想情况下该放大器输出电阻极低
多项选择题已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值,那么各状态下器件的工作状态为()。
A.状态1:饱和区;状态2:饱和区B.状态1:截止区;状态2:饱和区C.状态3:变阻区;状态4:饱和区D.状态3:饱和区;状态4:变阻区
单项选择题已知某NMOS器件的Vt=1V,k′n(W L)=1mA V2,VA=50V,且工作点电流ID=0.5mA,则其小信号模型参数gm=()mA V,ro=()kΩ。
A.1,100B.0.5,50C.1,50D.2,100
单项选择题电路如图所示,要使得晶体管工作在饱和区,且有ID=0.4mA,VD=0.5V;已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V,L=1µm,W=32µm,k′n=100μA V2,忽略沟道长度调制效应,则电阻RS=()kΩ,RD=()kΩ。
A.5,3.25B.4,6C.3,7D.3.25,5
单项选择题在CMOS集成电路设计中,NMOS的衬底应接在电路的()电位,PMOS的衬底应接在电路的()电位。
A.最高,最高B.最高,最低C.最低,最高D.最低,最低
单项选择题某放大电路在负载开路时,测得输出电压为5V,在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻,输出电压下降到3V,说明该放大电路的输出电阻为()kΩ。
A.1B.2C.3D.4