‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

单项选择题‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

单项选择题‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层

多项选择题‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍（）

A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以

多项选择题下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象？（）‌

A.正弦信号
B.三角波信号
C.格雷码信号
D.数字图像信号