已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

单项选择题‌已知某NMOS器件的Vt=1V，k′n（W L）=1mA V2，VA=50V，且工作点电流ID=0.5mA，则其小信号模型参数gm=（）mA V，ro=（）kΩ。

A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100

单项选择题电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′n=100μA V2，忽略沟道长度调制效应，则电阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。

A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5

单项选择题‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

单项选择题‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉