电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有I_D=0.4mA，V_D=0.5V；已知该NMOS晶体管的V_t=0.7V，L=1µm，W=32µm，k′_n=100μA/V²，忽略沟道长度调制效应，则电阻R_S=（）kΩ，R_D=（）kΩ。

单项选择题‌在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的（）电位，PMOS的衬底应接在电路的（）电位。

A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低

单项选择题‌某放大电路在负载开路时，测得输出电压为5V，在输入电压不变的情况下接入3kΩ的负载电阻，输出电压下降到3V，说明该放大电路的输出电阻为（）kΩ。‌

A.1
B.2
C.3
D.4

单项选择题NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS（）Vt，uDS（）uGS-Vt。

A.〉，〈
B.〉，〉
C.〈，〈
D.〈，〉

单项选择题‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层

多项选择题‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍（）

A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以