A.GDS II文件B.实物芯片照片C.cadence中绘制的版图D.芯片电路图
单项选择题摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少?()
A.1倍B.2倍C.3倍D.4倍
多项选择题外延双阱工艺的优点包括()。
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
多项选择题CMOS制作时,常常用作钝化层的材料是()。
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
多项选择题集成电路的制造工艺,需要采用隔离技术,常见的隔离方法有()。
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
单项选择题CMOS工艺中,将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是()。
A.多晶硅B.金属铝C.金属铜D.铝硅铜合金