A.1倍B.2倍C.3倍D.4倍摩尔定律中每一代集成电路上晶体管密度翻倍值是多少？（）……

判断题无论是施加正偏压还是反偏压，MOS电容都是一种线性电容。

判断题MOS结构指的是金属氧化物半导体结构的简称。

多项选择题外延双阱工艺的优点包括（）。

A.实现N阱和P阱独立控制
B.更平坦的表面
C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响
D.抑制闩锁效应

多项选择题CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。

A.氮化硅
B.二氧化硅
C.多晶硅
D.单晶硅

多项选择题集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。

A.外延隔离
B.埋层隔离
C.PN结隔离
D.介质隔离

单项选择题CMOS工艺中，将PMOS和NMOS的栅进行局部互连的材料是（）。

A.多晶硅
B.金属铝
C.金属铜
D.铝硅铜合金

单项选择题为了实现全局平坦化，在集成电路中，经常采用（）工艺。

A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高温回流

单项选择题以下工艺中，方块电阻是一个重要的参数，一般用于衡量（）工艺中杂质情况。

A.氧化
B.扩散
C.光刻
D.刻蚀

单项选择题在制作MOS管时，采用LOCOS工艺容易出现（）。

A.沟道效应
B.鸟嘴效应
C.寄生效用
D.闩锁效应

单项选择题光刻时，将掩模版直接放在晶圆表面，与表面的光刻胶接触，该种光刻方式称为（）。

A.接触式
B.接近式
C.投影式
D.步进式

单项选择题源漏注入之后，必须进行（）工艺，修复晶格损伤，激活杂质。

A.氧化
B.快速热处理
C.退火
D.扩散

单项选择题未进行掺杂的二氧化硅薄膜，通常简写为（）。

A.PSG
B.USG
C.BSG
D.FSG

单项选择题我们利用LOCOS技术制作MOS中的（）。

A.场氧区
B.源、漏
C.栅
D.有源区

单项选择题显影后，被曝光区域的光刻胶被去除，该种光刻胶称为（）。

A.负胶
B.正胶
C.光刻抗蚀剂
D.光阻

单项选择题MOS晶体管的源区、漏区及源、漏之间的沟道区域通常称为（）。

A.有源区
B.场区
C.衬底区
D.阱区