A.1倍B.2倍C.3倍D.4倍
判断题无论是施加正偏压还是反偏压，MOS电容都是一种线性电容。
判断题MOS结构指的是金属氧化物半导体结构的简称。
多项选择题外延双阱工艺的优点包括（）。
A.实现N阱和P阱独立控制B.更平坦的表面C.做在阱区内的器件可以减少受到α粒子辐射的影响D.抑制闩锁效应
多项选择题CMOS制作时，常常用作钝化层的材料是（）。
A.氮化硅B.二氧化硅C.多晶硅D.单晶硅
多项选择题集成电路的制造工艺，需要采用隔离技术，常见的隔离方法有（）。
A.外延隔离B.埋层隔离C.PN结隔离D.介质隔离
