A.磁控溅射B.VPEC.LPCVDD.APCVD
单项选择题基于LSS理论,离子注入受到靶原子核与电子的阻止,()。
A.核阻止和电子阻止是独立的B.核阻止本领>电子阻止本领C.核阻止本领< 电子阻止本领D.核阻止和电子阻止与入射离子能量无关
单项选择题CVD可分为低温工艺、中温工艺、高温工艺,不同温度制备的同种薄膜(如SiO2)的密度()
A.温度升高,略有下降B.与温度无关C.温度升高,略有增加D.都相同
单项选择题看图判断下列描述是否正确?()
A.是有限源扩散,杂质浓度分布是高斯函数B.是有限源扩散,杂质浓度分布是余误差函数C.是恒定源扩散,杂质浓度分布是余误差函数D.是恒定源扩散,杂质浓度分布是高斯函数
单项选择题关于硅的热氧化,下面哪种说法正确?()
A.湿氧比干氧慢得多B.氧化反应是在Si/SiO2界面发生的C.水汽氧化层比干氧氧化层致密D.升高氧气(或水汽)分压不影响生长速率
多项选择题CMOSIC通常采取那种隔离方法()
A.局部场氧化B.浅槽隔离C.pn结隔离D.混合隔离