溅射与蒸镀比较，下列那种说法正确（）

多项选择题从两电极面积判断射频溅射时，靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上（）

A.衬底放在面积大的电极上
B.靶放在面积大的电极上
C.衬底放在面积小的电极上
D.靶放在面积小的电极上

单项选择题为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法（）

A.射频溅射
B.LPCVD
C.电阻蒸镀
D.PECVD

单项选择题poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的（）

A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD

单项选择题LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

A.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.淀积速率受气相质量输运控制
D.淀积速率受表面化学反应控制

单项选择题在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）

A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm