A.电子,可以B.空穴,可以C.施主离子,不可以D.受主离子,不可以
单项选择题MOS晶体管的()可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越(),则表示这种控制能力也越强。
A.电流放大系数,大B.电流放大系数,小C.跨导,小D.跨导,大
单项选择题已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017 cm3,则这是()型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的()
A.N,上方B.P,上方C.P,下方D.N ,下方
单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度()空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.无法判断
单项选择题N型硅衬底的MOS结构,当其栅极施加()偏压时,半导体表面附近会形成一层()层。
A.正,电子积累B.负,电子积累C.正,空穴反型层D.正,电子反型层
单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中,其阈值电压应该是()的,积累状态时所加的栅电压应该是()的
A.正,正B.正,负C.负,正D.负,负