A.大于B.小于C.等于D.无法判断
单项选择题N型硅衬底的MOS结构,当其栅极施加()偏压时,半导体表面附近会形成一层()层。
A.正,电子积累B.负,电子积累C.正,空穴反型层D.正,电子反型层
单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中,其阈值电压应该是()的,积累状态时所加的栅电压应该是()的
A.正,正B.正,负C.负,正D.负,负
单项选择题P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是()的;强反型时,其空间电荷区中的电荷应该是()的
单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有()
A.栅氧厚度B.衬底浓度C.源漏区的长度D.有效表面态电荷
单项选择题关于双极型晶体管(BJT)的基区,基区宽度越(),载流子传输过程中的损失越小,基区浓度越(),载流子传输过程中的损失越大
A.大,高B.大,低C.小,高D.小,低