N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负

单项选择题P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负

单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有（）

A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷

单项选择题关于双极型晶体管（BJT）的基区，基区宽度越（），载流子传输过程中的损失越小，基区浓度越（），载流子传输过程中的损失越大

A.大，高
B.大，低
C.小，高
D.小，低

单项选择题当三极管的共发射极电流放大系数下降为低频时的1 √2，对应的频率是：（）

A.fT
B.fβ
C.fα
D.fM