已知Si中掺有硼杂质，且掺杂浓度为10¹⁷/cm³，则这是（）型半导体，该半导体的费米能级在禁带中线的（）

单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度（）空穴浓度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.无法判断

单项选择题N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加（）偏压时，半导体表面附近会形成一层（）层。

A.正，电子积累
B.负，电子积累
C.正，空穴反型层
D.正，电子反型层

单项选择题一个以N-Si为衬底的理想MOS结构中，其阈值电压应该是（）的，积累状态时所加的栅电压应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负

单项选择题P-Sub的理想MOS结构衬底的费米势应该是（）的；强反型时，其空间电荷区中的电荷应该是（）的

A.正，正
B.正，负
C.负，正
D.负，负

单项选择题不影响MOS管阈值电压的参数有（）

A.栅氧厚度
B.衬底浓度
C.源漏区的长度
D.有效表面态电荷