NEMOSFET饱和区的工作条件为u_GS（）V_t，u_DS（）u_GS-V_t。

单项选择题‍MOSFET中的导电沟道是指其（）‍

A.金属层
B.耗尽层
C.反型层
D.氧化层

多项选择题‍在下述几种击穿现象中，哪些击穿是可逆的？‍‍‍（）

A.热击穿
B.齐纳击穿
C.雪崩击穿
D.以上都可以

多项选择题下列哪些信号可以作为模拟电路的处理对象？（）‌

A.正弦信号
B.三角波信号
C.格雷码信号
D.数字图像信号

单项选择题为形成P型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。‍

A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴

单项选择题​为形成N型半导体，需要向本征半导体掺入（）价杂质，从而使得半导体内（）浓度大大增加。‌

A.+5，自由电子
B.+5，空穴
C.+3，自由电子
D.+3，空穴