第三代半导体材料不仅具有更加优秀的电子迁移率，而且具备（）等优势。

多项选择题用于半导体电路互连的金属应该具备的条件包括（）。

A.高安全性
B.低电阻率
C.热化学稳定性
D.高可靠性
E.低制造成本

多项选择题集成电路布图设计的特点有（）。

A.保护的延及性
B.对产品的依附性
C.表现形式具有非任意性
D.可复制性
E.无形性

多项选择题集成电路知识产权保护应该是（）的。

A.分层级
B.分阶段
C.全链条
D.全方位
E.综合性

多项选择题集成电路布图设计保护的要件有（）

A.原创性
B.形式要件
C.设计权利
D.使用范围
E.布图设计

多项选择题光刻胶壁垒极高，主要体现在（）。

A.人才壁垒
B.工艺壁垒
C.配套光刻机
D.原材料壁垒
E.客户认证壁垒

多项选择题IP核分为（）。

A.设计核
B.软核
C.固核
D.硬核
E.结构核

多项选择题晶圆级封装（Wafer Level Packaging，缩写WLP）是一种先进的封装技术，具有（）、高传输速度、（）、散热好、生产周期短、成本低等优势。

A.尺寸小
B.高密度连接
C.三维封装
D.多材料堆叠
E.低密度连接

多项选择题IC产业是国家（）行业，对信息安全、“互联网+”建设和人工智能等战略的发展必不可少。

A.战略性
B.先导性
C.基础性
D.全局性
E.指导性

多项选择题集成电路产业具有高度（）密集型和（）密集型特征。

A.资源
B.区域
C.资本
D.技术
E.人才

多项选择题电子材料对所处的环境因素有哪些方面的要求？（）

A.温度
B.延展度
C.湿度
D.化学颗粒与尘埃
E.毒菌和昆虫