A.金属键B.亚原子粒子C.共价键D.价带
单项选择题当一个中性原子失去或得到一个价电子时,原子变成了()
A.共价的B.一种金属C.一种晶体D.一个离子
单项选择题P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时,半导体表面空间电荷区的电荷主要是(),此时半导体表面()导电。
A.电子,可以B.空穴,可以C.施主离子,不可以D.受主离子,不可以
单项选择题MOS晶体管的()可以用来表征栅电压对其沟道电流的控制能力,其值越(),则表示这种控制能力也越强。
A.电流放大系数,大B.电流放大系数,小C.跨导,小D.跨导,大
单项选择题已知Si中掺有硼杂质,且掺杂浓度为1017 cm3,则这是()型半导体,该半导体的费米能级在禁带中线的()
A.N,上方B.P,上方C.P,下方D.N ,下方
单项选择题已知MOS结构的硅衬底费米势大于0,则该材料中的电子浓度()空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.无法判断