A.材料B.信息C.电子D.能源
单项选择题生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般用什么方法?()
A.温差水热法B.直拉法C.CVD法D.区熔法
单项选择题目前生长半导体单晶最常见的方法是()
A.直拉法B.CVD法C.布里兹曼法D.液相外延法
单项选择题以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()
A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔化前能够分解
单项选择题以下对于晶体生长的方法描述错误的是()
A.金刚石一般采取固相生长法B.Si晶体一般采用溶液生长法C.GaN可以采取气相生长法D.任何两相之间都有亚稳区存在,当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生
单项选择题以下对于非均匀形核的描述错误的是()
A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底B.降低湿润角,一般需要选择与晶核相同晶体结构,相近的点阵常数作为异质形核点C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时,润湿角为零D.杂质表面的形状对于表面形核有影响,凹面促进形核