以下对于非均匀形核的描述错误的是‍（）

单项选择题以下对于粗糙界面和光滑界面描述正确的是‍（）

A.晶体的生长单元比例x=NA/N，如果x〉50%就是粗糙界面，x〈50%就是光滑界面
B.x=50%是粗糙界面，x=0%或者100%为光滑界面
C.界面的相对吉布斯自由能与x无关
D.对于粗糙面，晶体生长采取二维成核或者自然台阶层状生长

单项选择题‌以下对于晶体生长描述正确的是​（）

A.晶体生长是平衡过程。
B.晶面的法向生长速度越快，就越容易留下来；反之则容易消失。
C.晶体的原子最密排面表面能最低。
D.晶体的形态取决于各个晶面的法向生长速度。

单项选择题‏以下对于半导体的描述错误的是‍（）

A.半导体可以应用于集成电路、光伏、发光器件、探测器等领域
B.第三代半导体的性能要优于第一代半导体，且应用更为广泛
C.在制备半导体时，需要高纯的原材料，杂质越少越好
D.目前硅片向大尺寸的方向发展，目前正在建设300mm的生产线

单项选择题半导体照明的应用主要利用了半导体的什么特性‍？（）

A.光生伏特效应
B.电致发光特性
C.高纯特性
D.高完整特性

单项选择题以下对于半导体材料电学特性描述正确的是​（）

A.电子空穴导电
B.电阻率随温度的增加而增加
C.构成P-N结，加正向电压无电流通过，加反向电压有电流通过