A.直拉法B.CVD法C.布里兹曼法D.液相外延法
单项选择题以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔化前能够分解
单项选择题以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
A.金刚石一般采取固相生长法B.Si晶体一般采用溶液生长法C.GaN可以采取气相生长法D.任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生
