A.材料必须在熔化过程中成分不变B.材料在是温和熔点之间能够发生相变C.二氧化硅可以用于熔体生长法D.材料在熔化前能够分解
单项选择题以下对于晶体生长的方法描述错误的是（）
A.金刚石一般采取固相生长法B.Si晶体一般采用溶液生长法C.GaN可以采取气相生长法D.任何两相之间都有亚稳区存在，当热力学条件处于亚稳相区才有新相的产生
单项选择题以下对于非均匀形核的描述错误的是（）
A.一般所有的杂质都可以充当形核的基底B.降低湿润角，一般需要选择与晶核相同晶体结构，相近的点阵常数作为异质形核点C.当同质外延或直接从单质熔液生长单晶时，润湿角为零D.杂质表面的形状对于表面形核有影响，凹面促进形核
