A.光刻胶B.Si衬底C.刻蚀气体中的碳和其它物质组成的化合物D.刻蚀溶液
多项选择题掺杂后，退火的目的是（）。
A.实现电激活B.修复损伤C.提高掺杂均匀性D.加大损伤
多项选择题常压的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氢还原法B.三氯氢硅氢还原法C.二氯氢硅烷法D.硅烷热分解法
单项选择题刻蚀工艺可以和以下哪个工艺结合来实现图形的转移？（）
A.氧化B.离子注入C.光刻D.抛光
单项选择题注入损伤与注入离子的以下哪个参数无关？（）
A.能量B.温度C.剂量D.质量
单项选择题掺杂后退火时间一般在（）。
A.30~60分钟B.10~20分钟C.60~90分钟D.100~120分钟
