A.射频溅射B.LPCVDC.电阻蒸镀D.PECVD为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用……

单项选择题poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的（）

A.PECVD
B.LPCVD
C.APCVD
D.LCVD

单项选择题LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

A.反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.淀积速率受气相质量输运控制
D.淀积速率受表面化学反应控制

单项选择题在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）

A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm

判断题离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。

多项选择题关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）

A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低