关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）

多项选择题扩散系数在何时不可以看成是常数（）

A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质
C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化

单项选择题扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A.大，场助扩散
B.大，横向扩散
C.小，横向扩散
D.大，氧化增强

单项选择题通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化

多项选择题在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层（）

A.MBE
B.VPE、LPE
C.UHV/CVD
D.SEG、SPE

单项选择题磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率（）

A.轴向均匀
B.轴向递减
C.轴向递増
D.径向递减