LPCVD-SiO₂，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）

单项选择题在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少（）

A.0.6μm
B.0.712μm
C.0.512μm
D.0.088μm

多项选择题关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确（）

A.靶温升高，临界剂量上升
B.注入离子越轻，临界剂量越小
C.注入离子剂量率增大，临界剂量降低
D.注入离子能量越高，临界剂量越低

多项选择题扩散系数在何时不可以看成是常数（）

A.在本征硅上扩散掺入中等浓度的杂质硼
B.在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质
C.在中等浓度p型硅上扩散掺入n型杂质
D.在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化

单项选择题扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸（），这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。

A.大，场助扩散
B.大，横向扩散
C.小，横向扩散
D.大，氧化增强

单项选择题通常掩膜氧化采用的工艺方法为（）

A.干氧
B.干氧-湿氧-干氧
C.掺氯氧化
D.低压氧化