1）下层Mo的作用：Al直接与a-Si接触很容易向a-Si扩散使漏电流增大，影响TFT的关态特性，所以在Al层下面要增加一层Mo。 2）上层Mo的作用：Al容易产生小丘，表面粗超度不好，且Al与上面层ITO直接接触，容易还原ITO材料，降低ITO的电阻率，引起接触不良，因此要在Al的上面增加一层Mo。
问答题简述存储电容的作用。
问答题简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
问答题简述层间清洗的作用。
问答题述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。
问答题简述沟道切断的作用。
