简答题 试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

【参考答案】

1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiN_x约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝......

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