用外延法生长单晶，有（）和（）两种方法。

填空题铸锭法生长硅单晶虽然（）简单，（）快，（）低，但是生长单晶质量差。一般用于制造太阳能电池器件。

填空题气相生长法（）简单，污染少，单晶纯度较高，但是（），生长条件不易控制，生长的单晶质量较差。

填空题气相法生长单晶和用氢还原生长多晶相似。在适当温度下，（）和氢气作用，在（）上逐渐生长出单晶。

填空题基座法是既像（）又像（）的一种拉制单晶方法，此方法用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶。

填空题片状单晶生长法（EFG法）将用（）制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠（）作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出。