填空题基座法是既像（）又像（）的一种拉制单晶方法，此方法用卡具将多晶棒下端卡住，高频线圈在多晶硅棒上端产生熔区，由上方插入籽晶，将籽晶慢慢向上提起，生长出单晶。
填空题片状单晶生长法（EFG法）将用（）制成的有狭缝的模具浸在熔硅中，熔硅依靠（）作用，沿狭缝升到模具表面和籽晶融合，用很快的速度拉出。
填空题区熔法由于不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的（）较高，（）和（）低。
填空题一般情况下，直拉法拉制的硅单晶电阻率大于（）欧姆•厘米，质量很难控制。
填空题用直拉法制备硅单晶时，用（）插入熔体表面，待与熔体熔接完成后，慢慢向上提拉完成长晶过程。
