‌MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。​‌​

判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区，若uDS继续增大时，沟道夹断点向漏极移动。

判断题MOSFET做放大器，要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。‌‌‌

多项选择题当VGS=0时，能够导通的MOS管为（）

A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET

多项选择题‍若某放大器的输入信号为电压信号，输出信号为电流信号，则以下描述正确的有（）。‌

A.该放大器为互导放大器
B.该放大器为互阻放大器
C.理想情况下该放大器输入电阻极高
D.理想情况下该放大器输入电阻极低
E.理想情况下该放大器输出电阻极高
F.理想情况下该放大器输出电阻极低

多项选择题已知某N沟道增强型MOS场效应管的。下表给出了四种状态下和的值，那么各状态下器件的工作状态为（）。

A.状态1：饱和区；状态2：饱和区
B.状态1：截止区；状态2：饱和区
C.状态3：变阻区；状态4：饱和区
D.状态3：饱和区；状态4：变阻区