A.高,高B.高,低C.低,高D.低,低
判断题MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。
判断题假设NEMOSFET已工作在饱和区,若uDS继续增大时,沟道夹断点向漏极移动。
判断题MOSFET做放大器,要想正常工作只需用电路提供合理的偏置使其工作在饱和区即可。
多项选择题当VGS=0时,能够导通的MOS管为()
A.NEMOSFETB.NDMOSFETC.PEMOSFETD.PDMOSFET
多项选择题若某放大器的输入信号为电压信号,输出信号为电流信号,则以下描述正确的有()。
A.该放大器为互导放大器B.该放大器为互阻放大器C.理想情况下该放大器输入电阻极高D.理想情况下该放大器输入电阻极低E.理想情况下该放大器输出电阻极高F.理想情况下该放大器输出电阻极低