A.裂钻B.刀边石C.轮形石D.细砂卷E.大号磨头打磨抛光义齿时，使用（）打磨基托磨光面。……

单项选择题打磨抛光义齿时，使用（）磨去基托影响就位的倒凹及组织面小瘤。

A.刀边石
B.轮形石
C.细砂卷
D.柱状砂石
E.大号磨头

单项选择题打磨抛光义齿时，先使用（）去除义齿基托边缘多余的塑料菲边及过厚、过长边缘，使边缘曲线流畅，厚薄合适。

A.裂钻
B.刀边石
C.轮形石
D.细砂卷
E.大号磨头

单项选择题有关支架打磨的说法中，错误的是（）

A.在抛光时用力过大，也可导致支架的断裂
B.支架握持不稳或抛光方向不正确导致支架飞出可引起支架的折断
C.支架打磨时某一点打磨过多使该处过薄不会引起支架的折断
D.打磨过程中因没有及时冷却，使支架升温可引起支架的变形
E.折断支架的断裂片在模型上可以完全就位，采用焊接来恢复连接

单项选择题支架打磨过程中引起的变形使支架与模型不贴合，处理措施为（）

A.按照抛光的原则重新抛光
B.使用砂针进行调磨
C.重新铸造支架
D.使用树脂填平不贴合处
E.以上都正确

单项选择题铸件抛光后表面还是粗糙，出现这种情况时应（）

A.重新铸造支架
B.按照抛光的原则重新抛光
C.使用砂针进行调磨
D.使用树脂填平铸件表面
E.以上都正确

单项选择题打磨时引起支架折断的原因中，错误的是（）

A.某一点打磨过多
B.抛光时用力过大
C.抛光方向不正确
D.抛光时支架握持不稳
E.打磨过程中没有及时冷却使支架升温

单项选择题打磨抛光过程中因没有及时冷却，使支架升温可引起（）

A.支架的折断
B.支架的变形
C.抛光后的支架粗糙
D.抛光后的支架高度光亮
E.抛光后的支架表面光泽度不好

单项选择题电解时铸件凹陷部分覆盖较（），薄膜电阻（）、电流（），溶解（）。

A.薄；小；大；较多
B.厚；大；小；较少
C.薄；大；小；较多
D.厚；小；大；较少
E.厚；小；大；较多

单项选择题电解时铸件凸起部分覆盖较（），薄膜电阻（）、电流（），溶解（）。

A.薄；小；大；较多
B.厚；大；小；较少
C.薄；大；小；较多
D.厚；小；大；较少
E.厚；小；大；较多

单项选择题关于电解抛光的说法中，错误的是（）

A.凹陷部分覆盖较厚，薄膜电阻大、电流小
B.电解抛光过程中要防止搅动电解液
C.根据不同合金选择适当的电解质
D.电解液要新鲜、干净，并定期更换
E.电解结束后用10%氢氧化钠溶液处理铸件10分钟

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入70～80℃的10%（）溶液中处理10分钟。

A.双氧水
B.硫酸钠
C.氟化钠
D.生理盐水
E.氢氧化钠

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入（）的10%氢氧化钠溶液中处理10分钟。

A.30～40℃
B.40～50℃
C.50～60℃
D.60～70℃
E.70～80℃

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入70~80℃的10%氢氧化钠溶液中处理（）。

A.5分钟
B.8分钟
C.10分钟
D.15分钟
E.20分钟

单项选择题电解抛光时，把电解液注入电解槽内，加温预热至（）

A.30～40℃
B.40～50℃
C.50～60℃
D.60～70℃
E.70～80℃

单项选择题铸件打磨抛光的原则中，错误的是（）

A.打磨压力要大，速度要快
B.用来打磨的砂轮按照由粗到细的顺序使用
C.铸造支架的磨光顺序应严格按照由粗到细的原则
D.应注意防止卡环、支托的变形
E.打磨方向尽量与支架局部的方向轴一致