打磨时引起支架折断的原因中，错误的是（）

单项选择题打磨抛光过程中因没有及时冷却，使支架升温可引起（）

A.支架的折断
B.支架的变形
C.抛光后的支架粗糙
D.抛光后的支架高度光亮
E.抛光后的支架表面光泽度不好

单项选择题电解时铸件凹陷部分覆盖较（），薄膜电阻（）、电流（），溶解（）。

A.薄；小；大；较多
B.厚；大；小；较少
C.薄；大；小；较多
D.厚；小；大；较少
E.厚；小；大；较多

单项选择题电解时铸件凸起部分覆盖较（），薄膜电阻（）、电流（），溶解（）。

A.薄；小；大；较多
B.厚；大；小；较少
C.薄；大；小；较多
D.厚；小；大；较少
E.厚；小；大；较多

单项选择题关于电解抛光的说法中，错误的是（）

A.凹陷部分覆盖较厚，薄膜电阻大、电流小
B.电解抛光过程中要防止搅动电解液
C.根据不同合金选择适当的电解质
D.电解液要新鲜、干净，并定期更换
E.电解结束后用10%氢氧化钠溶液处理铸件10分钟

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入70～80℃的10%（）溶液中处理10分钟。

A.双氧水
B.硫酸钠
C.氟化钠
D.生理盐水
E.氢氧化钠

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入（）的10%氢氧化钠溶液中处理10分钟。

A.30～40℃
B.40～50℃
C.50～60℃
D.60～70℃
E.70～80℃

单项选择题电解抛光结束后，从槽内取出铸件，用热水清洗干净，再放入70~80℃的10%氢氧化钠溶液中处理（）。

A.5分钟
B.8分钟
C.10分钟
D.15分钟
E.20分钟

单项选择题电解抛光时，把电解液注入电解槽内，加温预热至（）

A.30～40℃
B.40～50℃
C.50～60℃
D.60～70℃
E.70～80℃

单项选择题铸件打磨抛光的原则中，错误的是（）

A.打磨压力要大，速度要快
B.用来打磨的砂轮按照由粗到细的顺序使用
C.铸造支架的磨光顺序应严格按照由粗到细的原则
D.应注意防止卡环、支托的变形
E.打磨方向尽量与支架局部的方向轴一致

单项选择题技工打磨机打磨时用力一般为（）

A.25～50g
B.50～100g
C.100～150g
D.150～200g
E.200～250g