A.可逆B.正温度系数C.负温度系数D.不可逆
单项选择题对PN+结,扩散电容上的电荷主要是储存在()的非平衡载流子电荷。
A.N型中性区B.P型势垒区C.N型势垒区D.P型中性区
单项选择题理想PN结的电流是()。
A.多子漂移电流B.少子扩散电流C.多子扩散电流D.复合-产生电流
单项选择题反向偏置的PN结,靠近耗尽层边界的中性区内会发生()过程。
A.产生和漂移B.漂移和扩散C.扩散和复合D.产生和扩散
单项选择题PN结中冶金结的含义是()。
A.势垒层B.界面C.空间电荷区D.耗尽层
单项选择题以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应?()
A.增加源漏结深B.减小衬底掺杂浓度C.减小氧化层厚度D.减小沟道长度