A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区C.窄禁带材料制……

单项选择题为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。

A.可逆
B.正温度系数
C.负温度系数
D.不可逆

单项选择题​对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。‌

A.N型中性区
B.P型势垒区
C.N型势垒区
D.P型中性区

单项选择题理想PN结的电流是（）。

A.多子漂移电流
B.少子扩散电流
C.多子扩散电流
D.复合-产生电流

单项选择题‏反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。

A.产生和漂移
B.漂移和扩散
C.扩散和复合
D.产生和扩散

单项选择题‌PN结中冶金结的含义是（）。

A.势垒层
B.界面
C.空间电荷区
D.耗尽层