‏反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。

单项选择题‌PN结中冶金结的含义是（）。

A.势垒层
B.界面
C.空间电荷区
D.耗尽层

单项选择题‎以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）

A.增加源漏结深
B.减小衬底掺杂浓度
C.减小氧化层厚度
D.减小沟道长度

单项选择题‍MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。

A.漏源电阻，栅源电阻
B.跨导，漏源电导
C.漏源电导，跨导
D.漏源电阻，跨导

单项选择题‎当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

A.减小
B.不变
C.不确定
D.增大

单项选择题‍以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通？（）

A.增加栅氧化层厚度
B.增加沟道宽度
C.减小沟道长度
D.增加衬底掺杂浓度