A.N型中性区B.P型势垒区C.N型势垒区D.P型中性区​对PN+结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡……

单项选择题理想PN结的电流是（）。

A.多子漂移电流
B.少子扩散电流
C.多子扩散电流
D.复合-产生电流

单项选择题‏反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。

A.产生和漂移
B.漂移和扩散
C.扩散和复合
D.产生和扩散

单项选择题‌PN结中冶金结的含义是（）。

A.势垒层
B.界面
C.空间电荷区
D.耗尽层

单项选择题‎以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应？（）

A.增加源漏结深
B.减小衬底掺杂浓度
C.减小氧化层厚度
D.减小沟道长度

单项选择题‍MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。

A.漏源电阻，栅源电阻
B.跨导，漏源电导
C.漏源电导，跨导
D.漏源电阻，跨导