简答题 简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。

【参考答案】

栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoN_x、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiN_x、SiO_x采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n⁺a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiN_x材料采用PECVD。